【组图】媄响屏蔽材料的屏蔽效能的因?늣屏蔽机房需要接地吗Q?/h1>
来源Q?a href='http://www.ohmylife.com.cn/news/129.html'>http://www.ohmylife.com.cn/news/129.html 发布旉 : 2017-07-17
很多人对于我们的气密q移屏蔽门、常?江苏,上v|h,厂家,哪家好等已经有了一些了解,而且也ؓ大家介绍q?b>屏蔽?/b>Q而今天小~将l大家介l?影响屏蔽材料的屏蔽效能的因素 늣屏蔽机房需要接地吗Q?Q希望能帮助到大?
深入理解下面的结论对于结构设计是十分重要的?/p>
1Q材料的导电性和导磁性越好,屏蔽效能高Q但实际的金属材料不可能兼顾q两个方面,例如铜的导电性很好,但是导磁性很差;铁的导磁性很好,但是导电性较差。应该用什么材料,Ҏ(gu)具体屏蔽主要依赖反射损耗、还是吸收损耗来军_是侧重导甉|还是导性;
2Q频率较低的时候,吸收损耗很,反射损耗是屏蔽效能的主要机理,要尽量提高反损耗;
3Q反损耗与辐射源的Ҏ(gu)有养I对于电场辐射源,反射损耗很大;对于场辐射源,反射损耗很。因此,对于场辐射源的屏蔽主要依靠材料的吸收损耗,应该选用导率较高的材料做屏蔽材料?/p>
4Q反损耗与屏蔽体到辐射源的距离有关Q对于电源Q距越q,则反损耗越大;对于场辐射源,距离近Q则反射损耗越;正确判断辐射源的性质Q决定它应该靠近屏蔽体,q是原理屏蔽体,是结构设计的一个重要内宏V?/p>
5Q频率较高时Q吸收损耗是主要的屏蔽机理,q时与辐源是电源q是场辐射源关pM大?/p>
6Q电场L是最Ҏ(gu)屏蔽的,q面波其ơ,场波是最隑ֱ蔽的。尤其是Q?KHz以下Q低频磁场,很难屏蔽。对于低频磁场,要采用高导磁性材料屏蔽,影响屏蔽材料的屏蔽效能的因素甚至采用高导甉|材料和高导性材料复合v来的材料?/p>
推荐(zhn)阅读这文章:屏蔽机房对缓解电辐的作用
늣屏蔽机房都是接地的,Z么电屏蔽机房要接地呢?q个是一定的Q下面我来ؓ大家介绍下有什么是需要接地的?/p>
1、?zhn)地A、设备地U在甉|上与参考地及其它导体绝~,卌备?zhn)?B、ؓ防止机箱上的骚扰甉|直接耦合CL路,有意信号C机箱l缘Q即单元电\的?zhn)地?/p>
2、单Ҏ(gu)地单Ҏ(gu)地是多接在一L电\提供一个共同的参考点。ƈ联单Ҏ(gu)地最单,它没有共L耦合和低频地环\的问题,因而也没有骚扰?/p>
3、多Ҏ(gu)地多Ҏ(gu)地能避免单点接地在高频时的问题。数字电路和高频大信L路中必须使用多点接地。模块和电\通过许多短线(<0.1λ)q接hQ以减少地阻抗生的共模电压?/p>
4、合接地合接地既包含了单Ҏ(gu)地的Ҏ(gu),也包含了多点接地的特性。如Q系l内的电源需要单Ҏ(gu)圎ͼ而射频部分则需要多Ҏ(gu)地。合接C用电抗性器件接地pȝ在低频和高频时呈C同的Ҏ(gu),q在宽带敏感电\中是必要的?/p>
“媄响屏蔽材料的屏蔽效能的因?늣屏蔽机房需要接地吗Q”和另外一文?a href="http://www.ohmylife.com.cn/supply/12.html">气密q移屏蔽?/a>都给大家提供一些帮助,我们会在后箋_ֿ准备更多有关影响屏蔽材料的屏蔽效能的因素的内容,如果不想错过Q收藏我们的|站吧!
本文关键词:屏蔽 影响 接地 损?辐射?材料
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2Q频率较低的时候,吸收损耗很,反射损耗是屏蔽效能的主要机理,要尽量提高反损耗;
3Q反损耗与辐射源的Ҏ(gu)有养I对于电场辐射源,反射损耗很大;对于场辐射源,反射损耗很。因此,对于场辐射源的屏蔽主要依靠材料的吸收损耗,应该选用导率较高的材料做屏蔽材料?/p>
4Q反损耗与屏蔽体到辐射源的距离有关Q对于电源Q距越q,则反损耗越大;对于场辐射源,距离近Q则反射损耗越;正确判断辐射源的性质Q决定它应该靠近屏蔽体,q是原理屏蔽体,是结构设计的一个重要内宏V?/p>
5Q频率较高时Q吸收损耗是主要的屏蔽机理,q时与辐源是电源q是场辐射源关pM大?/p>
6Q电场L是最Ҏ(gu)屏蔽的,q面波其ơ,场波是最隑ֱ蔽的。尤其是Q?KHz以下Q低频磁场,很难屏蔽。对于低频磁场,要采用高导磁性材料屏蔽,影响屏蔽材料的屏蔽效能的因素甚至采用高导甉|材料和高导性材料复合v来的材料?/p>
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1、?zhn)地A、设备地U在甉|上与参考地及其它导体绝~,卌备?zhn)?B、ؓ防止机箱上的骚扰甉|直接耦合CL路,有意信号C机箱l缘Q即单元电\的?zhn)地?/p>
2、单Ҏ(gu)地单Ҏ(gu)地是多接在一L电\提供一个共同的参考点。ƈ联单Ҏ(gu)地最单,它没有共L耦合和低频地环\的问题,因而也没有骚扰?/p>
3、多Ҏ(gu)地多Ҏ(gu)地能避免单点接地在高频时的问题。数字电路和高频大信L路中必须使用多点接地。模块和电\通过许多短线(<0.1λ)q接hQ以减少地阻抗生的共模电压?/p>
4、合接地合接地既包含了单Ҏ(gu)地的Ҏ(gu),也包含了多点接地的特性。如Q系l内的电源需要单Ҏ(gu)圎ͼ而射频部分则需要多Ҏ(gu)地。合接C用电抗性器件接地pȝ在低频和高频时呈C同的Ҏ(gu),q在宽带敏感电\中是必要的?/p>
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本文关键词:屏蔽 影响 接地 损?辐射?材料
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